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J-GLOBAL ID：200903077555276778
熱電変換モジュール及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994295449
Publication number (International publication number)：1996153901
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：
【要約】【目的】N型及びP型半導体化合物素子の熱電特性にばらつきが発生せず、周囲への熱の発散及び周囲からの熱の吸収を効率よく行うことができる。【構成】第1絶縁性基板11の片面の複数の第1導電性化合物層21の半分未満の片隅部分に複数の第1金属層31を介して複数のN型半導体化合物素子16を立設し、第2絶縁性基板12の片面の複数の第2導電性化合物層22の半分未満の片隅部分に複数の第2金属層32を介して複数のP型半導体化合物素子17を立設する。第1及び第2絶縁性基板を、N型半導体化合物素子が第2導電性化合物層のP型半導体化合物素子が形成されていない部分にかつP型半導体化合物素子が第1導電性化合物層のN型半導体化合物素子が形成されていない部分にそれぞれ対向させて重ね合わせ、N型及びP型半導体化合物素子の各先端を第2及び第1導電性化合物層に導電性接着剤18又ははんだにより接着する。
Claim (excerpt)：
第1絶縁性基板(11,61)の片面に等間隔に複数設けられN型半導体化合物の融液(13)が濡れない第1導電性化合物層(21)と、前記第1導電性化合物層(21)の半分未満の片隅部分に設けられ前記N型半導体化合物の融液(13)が濡れる第1金属層(31)と、前記第1金属層(31)に立設されたN型半導体化合物素子(16)と、第1絶縁性基板(11,61)と同形同大の第2絶縁性基板(12,62)の片面に前記第1導電性化合物層(21)と同一間隔に複数設けられP型半導体化合物の融液(14)が濡れない第2導電性化合物層(22)と、前記第2導電性化合物層(22)の半分未満の片隅部分に設けられ前記P型半導体化合物の融液(14)が濡れかつ前記第1金属層(31)と同形同大の第2金属層(32)と、前記第2金属層(32)に立設され前記N型半導体化合物素子(16)と同形同大のP型半導体化合物素子(17)とを備え、前記第1絶縁性基板(11,61)と前記第2絶縁性基板(12,62)とが前記N型半導体化合物素子(16)が第2導電性化合物層(22)のP型半導体化合物素子(17)が形成されていない部分にかつ前記P型半導体化合物素子(17)が第1導電性化合物層(21)のN型半導体化合物素子(16)が形成されていない部分にそれぞれ対向するように重ね合わせて前記N型及びP型半導体化合物素子(16,17)の各先端を第2及び第1導電性化合物層(21)に導電性接着剤(18)又ははんだにより接着されたことを特徴とする熱電変換モジュール。
IPC (2)：
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