光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996340227
Publication number (International publication number)：1998189065
Application date： Dec. 19, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】太陽光を効率的に利用可能でかつ光電変換効率、安定性、耐久性等に優れ、安価にかつ容易に製造し得る光半導体電極を提供すること。【解決手段】金属酸化物半導体の基材表面に、少なくとも下記一般式(I)で表されるペリレン誘導体を吸着させた層を有することを特徴とする光半導体電極である。一般式(I)【化1】一般式(I)中、Rは、置換されていてもよい2価の炭化水素基又は複素環基を表す。

Claim (excerpt)：

金属酸化物半導体の基材表面に、少なくとも下記一般式(I)で表されるペリレン誘導体を吸着させた層を有することを特徴とする光半導体電極。一般式(I)【化1】一般式(I)中、Rは、置換されていてもよい2価の炭化水素基又は複素環基を表す。

IPC (2)：

H01M 14/00 , C07D487/04 147

FI (2)：

H01M 14/00 P , C07D487/04 147

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭55-124964
光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-338371 Applicant：富士ゼロックス株式会社

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