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J-GLOBAL ID：200903077580310034

半導体装置の製造方法および装置

Inventor： 甕 久実 ,  糸賀 敏彦 ,  入江 隆史
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997011155
Publication number (International publication number)：1998209111
Application date： Jan. 24, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 イソプロピルアルコール蒸気乾燥後のシリコン基板表面の吸着物等を除去する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 フッ酸洗浄(水素終端化処理)後イソプロピルアルコール蒸気乾燥を行ったシリコン基板に対して、清浄雰囲気中でイソプロピルアルコールの脱離強度ピーク時の温度以上で、かつ終端水素の脱離強度ピーク時の温度よりも低い温度で一定時間の加熱を施して残留イソプロピルアルコール等を脱離させ、その後に酸化膜形成処理等を行う。【効果】 シリコン基板表面を安定化している終端水素に影響を与えることなく、効果的に基板表面に吸着した汚染物を除去することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板を洗浄する工程と、前記半導体基板を乾燥する工程と、前記乾燥の後に前記半導体基板の表面に付着する吸着物質を選択脱離させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 361 ,  H01L 21/304 341

FI (2)：

H01L 21/304 361 V ,  H01L 21/304 341 M