Pat
J-GLOBAL ID：200903077592927266
X線撮像装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998071692
Publication number (International publication number)：1999274446
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：
【要約】【課題】 信号線と他の導電領域との間の容量カップリングを低減し、X線撮像装置における信号線のノイズ成分を低減する。【解決手段】 検出部に入射したX線を電荷に変換する変換膜24と、各画素に対応して設けられ変換膜で変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、蓄積容量に蓄積された電荷を読み出す薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタにそのオン・オフ状態を制御する信号を供給する走査線15と、走査線からの信号によってオン状態となった薄膜トランジスタを通して蓄積容量に蓄積された電荷が送出される信号線12と、ゲート絶縁膜17よりも下層側かつ信号線よりも上層側に設けられた下層側絶縁膜13と、ゲート絶縁膜よりも上層側かつ変換膜よりも下層側に設けられた上層側絶縁膜22とを有する。
Claim (excerpt)：
複数配列された画素からなる検出部に入射したX線を電荷に変換する変換膜と、各画素に対応して設けられ前記変換膜で変換された電荷を蓄積する蓄積容量と、この蓄積容量に対応して設けられこの蓄積容量に蓄積された電荷を読み出し前記変換膜の下層側に設けられた薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタにそのオン・オフ状態を制御する信号を供給する走査線と、この走査線からの信号によってオン状態となった薄膜トランジスタを通して前記蓄積容量に蓄積された電荷が送出され前記薄膜トランジスタの下層側に設けられた信号線と、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となる第1の絶縁膜よりも下層側かつ前記信号線よりも上層側に設けられた第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜よりも上層側かつ前記変換膜よりも下層側に設けられた第3の絶縁膜とを有することを特徴とするX線撮像装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
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大領域能動マトリックス配列を製造する方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-018543
Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
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画像検出器及びかかる画像検出器を製造する方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-187147
Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
Cited by examiner (2)
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大領域能動マトリックス配列を製造する方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-018543
Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
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画像検出器及びかかる画像検出器を製造する方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-187147
Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
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