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J-GLOBAL ID：200903077597057677

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor： 橋本 実
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000046836
Publication number (International publication number)：2001230470
Application date： Feb. 18, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 フリー層全体に対する磁区制御を行い、磁壁の発生を防ぐ。【解決手段】 バイアス層3を、中間層4を介してフリー層5と隣接して形成する。このことにより、バイアス層3は、フリー層5の全体に対してバイアス磁界を印加できる。このため、フリー層5は全体的に磁区制御され、磁壁の発生が少なくなる。

Claim (excerpt)：

硬磁性層、第1の非磁性層、第1の強磁性層、第2の非磁性層、第2の強磁性層、及び反強磁性層が順次形成されている磁気抵抗効果薄膜と、電極層とを備え、上記第1の非磁性層は、上記硬磁性層と上記第1の強磁性層とを反強磁性結合させていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12

F-Term (10)：

5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12