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J-GLOBAL ID：200903077609854233

半導体用タングステンターゲットの製造方法

Inventor： 松本 俊一郎 ,  平木 明敏
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Agent (1)： 大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992023724
Publication number (International publication number)：1993222525
Application date： Feb. 10, 1992
Publication date： Aug. 31, 1993
Summary：

【要約】【目的】 極めて不純物含有量が少なく、しかも密度が高い半導体用タングステンターゲットの製造方法を提供することである。【構成】 本発明はタングステン粉末を加圧して60%以上の相対密度を有する成形体を作成した後、該成形体を水素を含む雰囲気中で温度1400°C以上、好ましくは1600°C以上に加熱して相対密度90%以上の焼結体とし、さらに前記焼結体を加工開始温度1400°C以上、好ましくは1600°C以上で熱間加工し99%以上の相対密度を得ることを特徴とする半導体用タングステンターゲットの製造方法である。

Claim (excerpt)：

タングステン粉末を加圧して60%以上の相対密度を有する成形体を作成した後、該成形体を水素を含む雰囲気中で温度1400°C以上に加熱して相対密度90%以上の焼結体とし、さらに前記焼結体を加工開始温度1400°C以上で熱間加工し99%以上の相対密度を得ることを特徴とする半導体用タングステンターゲットの製造方法。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C22C 1/04 ,  C22C 27/04 101

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-150356
  
• 特開昭62-182202
  
• 特開昭62-182203
  
• 特開昭52-084491