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J-GLOBAL ID：200903077619234616
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991262263
Publication number (International publication number)：1993102483
Application date： Oct. 09, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタにおいて不純物が注入される部分の濃度制御性が損なわれず、しかもオン電流を低下させることなくオフ電流を低減してオン・オフ電流比を高くする。【構成】 半導体層2のチャネル領域9部分に酸化を行って、ソース領域10a及びドレイン領域10bをチャネル領域より厚肉にする。その結果不純物が注入されるソース領域10a及びドレイン領域10bの濃度制御性が損なわれることはない。また半導体層2を予め厚く形成しておけば結晶性は良好となる。またチャネル領域9を酸化により薄肉化するため、半導体層2全体の結晶性は損なわれずオン電流は増大する。ソース領域10a及びドレイン領域10bは厚肉のまま残されるので、それら領域の抵抗は十分に低くなる結果オン電流は低下し難い。チャネル領域9が薄肉化されるのでオフ電流は低減され、さらに半導体層2がLDD構造により一層低減され、オン・オフ電流比を高くできる。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に、又は逆の順に積層形成され、該半導体層の3つに区分された帯状領域の中央部がチャネル領域となっており、両側の一方がソース領域、他方がドレイン領域となった薄膜トランジスタにおいて、該半導体層のソース領域及びドレイン領域の厚さがチャネル領域の厚さよりも厚く、かつ、ソース領域及びドレイン領域のそれぞれがチャネル領域側を低濃度不純物領域とし、反対側を高濃度不純物領域とした2つの領域を有する薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
Cited by examiner (7)
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