Pat

J-GLOBAL ID：200903077627381822

半導体装置

Inventor： 山本 賢治
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992360025
Publication number (International publication number)：1994204425
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 スタックトキャパシタ構造のDRAMメモリセルの平面積を増大させることなくキャパシタ容量を増大させる。【構成】 ストレージノードを構成する多結晶シリコン膜8の表面にホトリソグラフィ及びウェットエッチングにより滑らかなおわん状の窪み9を複数形成する。これにより、キャパシタの実効表面積を増大させるとともに、キャパシタ誘電体膜であるONO膜10の成膜性を損なわずにキャパシタ容量を増大させることができる。

Claim (excerpt)：

キャパシタ構造を有する半導体装置であって、前記キャパシタ構造の少なくとも一方の電極部に複数の凹凸を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

FI (2)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 27/10 325 M