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J-GLOBAL ID：200903077637729045

二次元的に配置された量子素子

Inventor： 山下 一郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998148943
Publication number (International publication number)：1999045990
Application date： May. 29, 1998
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 常温で安定に作動し、現実に単電子トランジスタや単電子メモリーとして生産可能な量子素子を提供する。【解決手段】 表面に絶縁層を有する基板表面上に、金属タンパク質が内包可能な直径が7nm以下の金属原子凝集体Mからなる量子ドットを、金属タンパク質のピッチ11〜14nmで二次元的に配置する。凝集体Mの1個を量子井戸Q、量子井戸を介し対向する量子ドットをドレインD及びソースS、周囲の残る量子ドットをゲートGとし、その他の凝集体Mを配線に用いることで、単電子トランジスタとなる。量子井戸Qは、1千〜3千個の原子の凝集体であるから、この量子井戸のフェルミレベルに最も近い遷移レベルは室温での電子の熱励起レベルよりも高い。又、量子井戸QとドレインD及びソースSとが、トンネル効果を生じうる距離11〜14nmに配置されているので、室温もしくは実用可能な温度でトンネル現象を確認できる。

Claim (excerpt)：

表面に絶縁層を有する基板表面上に、金属タンパク質複合体が内包可能な金属原子凝集体からなる量子ドットが、上記金属タンパク質複合体のピッチで二次元的に配置されていることを特徴とする量子素子。

IPC (9)：

H01L 29/06 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 51/00 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/86 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (8)：

H01L 29/06 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/86 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 A