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J-GLOBAL ID：200903077638659113

光半導体装置

Inventor：
堀川 久直

About 堀川 久直


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001322659
Publication number (International publication number)：2003179172
Application date： Oct. 19, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：
【要約】【課題】 光半導体素子の上面の受光部と透光性蓋体の下面とが平行に保持されたものとすること。【解決手段】 上側主面に凹部2aが形成された基体2と、凹部2aの底面2bに載置され、上面の中央部に受光部3aが設けられているとともに外周部に電極4が形成された光半導体素子3と、上側主面の凹部2aの周囲の略全周に設けられた樹脂層7と、樹脂層7の上部で接着されて光半導体素子3を封止する透光性蓋体8とを具備し、光半導体素子3の上面の受光部3aの周囲から透光性蓋体8の下面にかけて略同じ高さを有する支持部材9を略等間隔で3個以上設けた。
Claim (excerpt)：
上側主面に凹部が形成された基体と、前記凹部の底面に載置され、上面の中央部に受光部が設けられているとともに外周部に電極が形成された光半導体素子と、前記上側主面の前記凹部の周囲の略全周に設けられた樹脂層と、該樹脂層の上部で接着されて前記光半導体素子を封止する透光性蓋体とを具備した光半導体装置であって、前記光半導体素子の上面の前記受光部の周囲から前記透光性蓋体の下面にかけて略同じ高さを有する支持部材を略等間隔で3個以上設けたことを特徴とする光半導体装置。
IPC (5)：
H01L 23/02 ,  G02B 6/42 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/02 ,  H04N 5/335
FI (6)：
H01L 23/02 B ,  H01L 23/02 J ,  G02B 6/42 ,  H04N 5/335 V ,  H01L 31/02 B ,  H01L 27/14 D
F-Term (22)：
2H037BA12 ,  2H037DA03 ,  2H037DA11 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118FA08 ,  4M118GD02 ,  4M118HA02 ,  4M118HA20 ,  4M118HA24 ,  4M118HA30 ,  5C024CY48 ,  5C024CY49 ,  5C024EX22 ,  5C024EX24 ,  5F088BB02 ,  5F088BB03 ,  5F088EA03 ,  5F088EA04 ,  5F088JA05 ,  5F088JA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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