Pat

J-GLOBAL ID：200903077664427832

結晶成長方法

Inventor： 原 明人 ,  北原 邦紀
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995271223
Publication number (International publication number)：1997115831
Application date： Oct. 19, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】アモルファスシリコン(a-Si)からポリシリコン(p-Si)への固相成長方法に関し、固相成長或いはレーザアニールにより形成されたポリシリコン膜中の不純物を低減させる。【解決手段】アモルファスシリコン膜2を加熱し、固相成長させて形成したポリシリコン膜2a中に存在する結晶欠陥5を選択的にエッチングする工程を含む。

Claim (excerpt)：

アモルファスシリコン膜を加熱し、固相成長させて形成したポリシリコン膜中に存在する結晶欠陥を選択的にエッチングする工程を含むことを特徴とする結晶成長方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-233305   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-233305   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所