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J-GLOBAL ID：200903077665435286
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993346534
Publication number (International publication number)：1994208992
Application date： Feb. 01, 1988
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体集積回路やパワートランジスタで発生した熱を速やかに広げ、局部的に電気的物性が劣化あるいは低下することを防ぐ。【構成】 半導体集積回路またはパワートランジスタが予め形成された上表面に炭素膜がフアイナルコートとして設けられたことを特徴とする半導体装置。
Claim (excerpt)：
半導体集積回路またはパワートランジスタが予め形成された上表面に炭素膜がフアイナルコートとして設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/314
, H01L 21/31
, C23F 4/00
Cited by examiner (8)
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