半導体集積回路装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：秋田収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995257463
Publication number (International publication number)：1997102588
Application date： Oct. 04, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体集積回路装置の集積度が低下する。【解決手段】ビット対線BLの下層にメモリセル選択用MISFETQを配置し、前記ビット対線BLの上層に情報蓄積用容量素子Cを配置したメモリセルMを有する半導体集積回路装置において、前記ビット対線BLの一方のビット線11と他方のビット線11とを前記ビット対線BLの下層に形成された配線Lを用いて交差させる。また、前記配線Lを、前記メモリセル選択用MISFETQのソース領域及びドレイン領域である一対の半導体領域7と同一工程又は前記メモリセル選択用MISFETQのゲート電極5と同一工程で形成する。

Claim (excerpt)：

ビット対線の下層にメモリセル選択用MISFETを配置し、前記ビット対線の上層に情報蓄積用容量素子を配置したメモリセルを有する半導体集積回路装置において、前記ビット対線の一方のビット線と他方のビット線とを前記ビット対線の下層に形成された配線を用いて交差させたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 27/10 681 B , H01L 21/90 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平2-183491
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-324208 Applicant：松下電器産業株式会社

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