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J-GLOBAL ID：200903077691170614

プラズマプロセス装置および処理装置

Inventor：
山本 直子

About 山本 直子

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山本 達志

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平山 昌樹

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大見 忠弘

About 大見 忠弘


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

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大見 忠弘

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Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001342857
Publication number (International publication number)：2003151797
Application date： Nov. 08, 2001
Publication date： May. 23, 2003
Summary：
【要約】【課題】 マイクロ波の伝播効率を高めることにより、プラズマを形成することができるプロセス条件範囲を拡大することが可能なプラズマプロセス装置および処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマを用いた処理を行なう処理室1、2と、マイクロ波を処理室に導入するマイクロ波導入手段3a〜6a、3b〜6bとを備えるプラズマプロセス装置であって、マイクロ波導入手段はマイクロ波を透過させる誘電体部材5a、5bを含み、誘電体部材をマイクロ波が透過する透過方向に対してほぼ垂直な方向における誘電体部材の断面形状は、ほぼ単一モードのマイクロ波を透過させることが可能な形状であり、透過方向における誘電体部材の厚さTは、誘電体部材を透過する単一モードのマイクロ波の波長をλ、任意の整数をmとした場合、(λ×(2m+0.7)/4)≦T≦(λ×(2m+1.3)/4)という条件を満たす。
Claim (excerpt)：
プラズマを用いた処理を行なう処理室と、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態にするためのマイクロ波を前記処理室に導入するマイクロ波導入手段とを備えるプラズマプロセス装置であって、前記マイクロ波導入手段は、前記マイクロ波を透過させる誘電体部材を含み、前記誘電体部材を前記マイクロ波が透過する透過方向に対して、ほぼ垂直な方向における前記誘電体部材の断面形状は、ほぼ単一モードの前記マイクロ波を透過させることが可能な形状であり、前記透過方向における前記誘電体部材の厚さTは、前記誘電体部材を透過する前記単一モードのマイクロ波の波長をλ、任意の整数をmとした場合、(λ×(2m+0.7)/4)≦T≦(λ×(2m+1.3)/4)という条件を満たす、プラズマプロセス装置。
IPC (4)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (4)：
H05H 1/46 B ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
F-Term (17)：
4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030KA14 ,  4K030KA46 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F045AA09 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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