Pat

J-GLOBAL ID：200903077693183209

半導体装置の製造方法

Inventor： 阿部 直道
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992258744
Publication number (International publication number)：1994112336
Application date： Sep. 29, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の層間絶縁膜に関し、カバレジが良く且つ誘電率の小さな有機絶縁材料を提供することを目的とする。【構成】 ジパラキシリレンガスを熱分解して得たパラキシリレンラジカルを第1の配線層が形成してある半導体基板上に導入し、第1の配線層上で重合させてポリパラキリシレンの薄膜を形成した後にこの薄膜を弗素化して弗素化ポリパラキリシレンとし、この薄膜を層間絶縁膜として使用することを特徴として半導体装置の製造方法を構成する。

Claim (excerpt)：

ジパラキシリレンガスを熱分解して得たパラキシリレンラジカルを第1の配線層が形成してある半導体基板上に導入し、該第1の配線層上で重合させてポリパラキシリレンの薄膜を形成した後に該薄膜を弗素化して弗素化ポリパラキシリレンとし、該薄膜を層間絶縁膜として使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/312