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J-GLOBAL ID：200903077694157554

半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法

Inventor： ステファン・アラン・コーヘン ,  ダニエル・チャールズ・エデルステイン ,  アルフレッド・グリル ,  ジュリジュ・ロスティスラブ・パラシュザック ,  ヴィシュヌバイ・ヴィッタルバイ・パテル
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995173771
Publication number (International publication number)：1996064591
Application date： Jul. 10, 1995
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 集積回路チップ上の1レベル以上の導体を分離する絶縁体としてのダイヤモンド・ライク炭素を構造の1つとして備える半導体デバイスを提供する。【構成】 露出した金属の第1の層16を上面14に有する基板12と、基板12の上面14上に形成されたダイヤモンド・ライク炭素物質の絶縁体層20と、絶縁体層20上に複数の導体を形成するようにパターニングされた金属の第2の層22とを備える。

Claim (excerpt)：

集積回路半導体デバイス上の1つ以上のレベルの導体を分離する絶縁体を有する半導体デバイスであって、露出した金属の第1の層を上面に有する基板と、前記基板の前記上面上に形成されたダイヤモンド・ライク炭素物質の絶縁体層と、前記絶縁体層上に複数の導体を形成するようにパターニングされた金属の第2の層と、を備える半導体デバイス。

IPC (3)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-196833
  
• 特開平2-023639
  
• 特開平1-023991