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J-GLOBAL ID：200903077699336643

薄膜トランジスタ・マトリクス及びその製造方法

Inventor： 大形 公士 ,  梁井 健一 ,  田中 勉
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992144161
Publication number (International publication number)：1993343683
Application date： Jun. 04, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタ・マトリクス及びその製造方法に関し、構造及び製造工程に簡単な改変を加えることで、走査バス・ラインなどの段差切れを皆無にしようとする。【構成】 ガラスからなる透明絶縁性基板1にAl膜3A並びにMo膜3Bの積層体で構成され且つ基板1側になったAl膜3A或いはMo膜3Bの何れか一方の膜の幅に比較して表面側になった他方の膜の幅が狭小化されることで横断面の形状が階段状をなし且つ薄膜トランジスタに於けるドレイン電極2Dとコンタクトするデータ・バス・ライン3を備え、その上に形成されたSiNx からなるゲート絶縁膜7のカバレイジを良好なものとすることで、更に、その上に形成した走査バス・ライン8に段差切れが生じないようにしてある。

Claim (excerpt)：

Al膜並びにMo膜の積層体で構成され且つ基板側になった膜の幅に比較して表面側になった膜の幅が狭小化されて横断面の形状が階段状をなし且つ薄膜トランジスタに於けるドレイン電極とコンタクトするデータ・バス・ラインを備えてなることを特徴とする薄膜トランジスタ・マトリクス。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 21/88 A