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J-GLOBAL ID：200903077704696726
レーザCVD装置および薄膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小橋川 洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994163140
Publication number (International publication number)：1996008197
Application date： Jun. 22, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】レーザCVD装置において、開口を通し試料表面にレーザ光を転写し、これを試料に対して相対的に移動させながらパターニングを行う場合に終端部の膜厚プロファイルを平坦化する。【構成】スリット7を通過したレーザ光を、試料3表面に縮小転写する光学系を有するレーザCVD装置において、スリット7とレーザ10との間のレーザ光路上に、可動ミラー17および固定ミラー21を設けた。可動ミラー17は回動自在で回転機構23によって回転される。パターニングの終端部で、レーザスポットを固定させてレーザ照射し、CVD膜先端の膜厚を得る場合において、可動ミラー17を回転させてレーザ光軸をシフトさせ、先端側のレーザ強度が高くなるようにレベル差をつける。これによって、先端部の成膜を促進して、膜厚プロファイルを平坦化させる。
Claim (excerpt)：
レーザ発振器から射出されるレーザ光を、開口により整形し、反応ガス雰囲気中に置かれた試料表面に対物レンズにより集光して、反応ガスを反応させて金属または誘電体薄膜を形成するレーザCVD装置において、前記開口の中心に対して前記レーザ光の光軸中心をシフトさせるシフト機構を設けたことを特徴とするレーザCVD装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/48
, H01L 21/268
