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J-GLOBAL ID：200903077716174679

半導体レーザー

Inventor： 平田 照二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996302066
Publication number (International publication number)：1998144993
Application date： Nov. 13, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ゲインガイド型構造の半導体レーザーにおいて、横モードの単峰化を図ったこの種テーパーストライプ型半導体レーザーにおいて、高出力化をはかってストライプ長を大とした場合においても、しきい値電流Ithの低減化、横モードの安定化等をはかることができるようにする。【解決手段】 活性層に対する電流注入領域がストライプ状をなし、ゲインガイド型構造を有する半導体レーザー、すなわちストライプ部とその外側との屈折率差Δnが、Δn≦5×10-4とした半導体レーザーにおいて、ストライプ部19の幅が、少なくとも一方の光出射端面S1 側で幅狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側に幅広部が形成され、この幅広部に少なくとも1つの幅狭ネック部19ncが形成された構成とする。

Claim (excerpt)：

活性層に対する電流注入領域がストライプ状をなし、ゲインガイド型構成による半導体レーザーにおいて、上記ストライプの幅が、少なくとも出力光を取り出す端面側で幅狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側に幅広部が形成され、該幅広部に少なくとも1つの幅狭ネック部が形成されてなることを特徴とする半導体レーザー。