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J-GLOBAL ID：200903077730094963

集積回路用相互接続体形成方法

Inventor： ジュング・リン ,  ワレン・エム・ウエサト ,  レウ・ファング
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 長谷川 次男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992289349
Publication number (International publication number)：1993234962
Application date： Oct. 02, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】エッチングが高度の選択性と再現性を有すると共に、従来の相互接続体より優れた特性をもつ集積回路用相互接続体の形成方法を提供する。【構成】誘電体20,22の間に集積回路素子をもつ基板10に対して相互接続体38,40を形成する。電極領域12,14にはTiSi2が形成された後、基板上にTi・W層を形成する。Ti・W層の選択部分を覆うようにフォトマスクを形成し、パターン化される。露出部品は酸化物を除去するためCl2とCF4で一次エッチング後、トリフルオロメタンとO2による二次エッチングで露出部分を除去し、電極領域から誘電体へと延びている局部相互接続体38,40を残す。エッチング選択性により局部相互接続体のフィルムエッジが垂直に形成される。さらに窒化処理に局部相互接続体の抵抗率に不利な影響を与えることなく誘電体層42を被着することが可能となる。

Claim (excerpt)：

集積回路素子を有する半導体基板を与えること、前記半導体基板上のチタン・タングステン層を形成すること、前記チタン・タングステン層の選択した部分にマスクを形成すること、前記チタン・タングステン層により覆われていない部分をCHF3 およびO2 ガスに露出させて前記覆われていない部分をエッチングし、所定の構成を有する相互接続体を残すこと、前記マスクを除去することを含む集積回路用相互接続体形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301