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J-GLOBAL ID：200903077738567720

太陽電池

Inventor： 大和田 寛人 ,  松原 康弘
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000229399
Publication number (International publication number)：2002043597
Application date： Jul. 28, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 裏面電極を半田で被覆する際にフィンガー部上に半田玉が発生したり、タブ上に半田溜まりが発生したり、このような半田溜まりによってレーザーカットの不具合が発生するという問題があった。【解決手段】 半導体基板の表裏面側に異なる導電領域を形成し、この導電領域表面にバスバー部とそれと直交する複数のフィンガー部とからなる電極を形成し、この電極を半田で被覆した太陽電池において、半導体基板の裏面側の複数のフィンガー部のピッチを1〜3mmに設定したり、バスバー部全体の幅が、このバスバー部に半田付される銅箔の幅より大きく、かつこのバスバー部内に複数のスリットを設ける。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表裏面側に異なる導電領域を形成し、この導電領域表面にバスバー部とそれと直交する複数のフィンガー部とからなる電極を形成し、この電極を半田で被覆した太陽電池において、前記半導体基板の裏面側の複数のフィンガー部のピッチを1〜3mmに設定したことを特徴とする太陽電池。

F-Term (9)：

5F051DA03 ,  5F051EA09 ,  5F051EA11 ,  5F051EA16 ,  5F051FA13 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051FA22 ,  5F051GA04