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J-GLOBAL ID:200903077738977872
薄膜の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999084170
Publication number (International publication number):2000273619
Application date: Mar. 26, 1999
Publication date: Oct. 03, 2000
Summary:
【要約】【課題】サーモクロミック特性を示すVO2 を主成分とする薄膜を簡便に、再現性よく製造できる方法の提供。【解決手段】酸化バナジウムを含有するターゲットを用い、H2 ガスを含有する雰囲気で反応性スパッタリング法を行い、VO2 を主成分とする薄膜を基体上に製造する薄膜の製造方法。
Claim (excerpt):
酸化バナジウムを含有するターゲットを用い、H2 ガスを含有する雰囲気で反応性スパッタリング法を行い、VO2 を主成分とする薄膜を基体上に製造する薄膜の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
C23C 14/08 G
, C23C 14/35 Z
F-Term (3):
4K029BA43
, 4K029CA06
, 4K029DC05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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特開昭58-135154
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特公昭45-020967
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特開昭62-190612
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マイクロブリッジ構造の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-231346
Applicant:日本電気株式会社
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特開昭63-161157
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Cited by examiner (5)
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特開昭58-135154
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特公昭45-020967
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特開昭62-190612
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マイクロブリッジ構造の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-231346
Applicant:日本電気株式会社
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特開昭63-161157
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