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J-GLOBAL ID：200903077739113561

プラズマ処理装置及び装置構成方法

Inventor： 町田 克之 ,  逸見 学 ,  峯岸 一茂
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 小林 将高
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991185875
Publication number (International publication number)：1993009742
Application date： Jul. 01, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電子サイクロトロン共鳴法と基板ホルダにRFバイアスを印加するバイアスECRプラズマCVD堆積法による試料表面でのチャージアップ現象で生ずるダメージを与えることなく絶縁膜を形成する。【構成】 第1ガス導入口7から酸素を導入してプラズマを生成し、第2ガス導入口8からSiH4 を導入し、ウエハ11上にSiO2 膜を形成し、基板ホルダ5にRF電源6からRFバイアスを印加し、スパッタエッチングを生じさせ、SiO2 膜の形成と平坦化を実現する。このとき、マグネットコイル1をその軸心方向と平行に移動させ、チャージアップによるダメージを減少させることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

マグネットコイルを外周に有し、かつマイクロ波導入口を有する円筒形のプラズマ生成室と、このプラズマ生成室と対向し高周波バイアスを印加可能な基板ホルダを有する試料室とからなり、電子サイクロトロン共鳴法を用いてプラズマを生成するプラズマ処理装置において、前記マグネットコイル位置と基板ホルダとの距離を調整可能とするために、前記マグネットコイルをその軸心と平行方向に移動,固定自在としたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-120275
  
• 特開平3-031481
  
• 特開平1-247575
  
• 特開平1-111877