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J-GLOBAL ID：200903077740445829
光利用めつき液およびめつき方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992101926
Publication number (International publication number)：1993148657
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Jun. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 基板の半導体を担持した部分にのみ、少なくとも銅、ニッケル、コバルト、および錫の1種以上の金属を含む厚いめっき膜を形成することが可能な光利用めっき液およびめっき方法を提供する。【構成】 不可逆的に酸化分解して電子を供給する犠牲酸化剤を含む、少なくとも銅、ニッケル、コバルトおよび錫の1種以上の金属または合金の無電解めっき液からなる光利用めっき液。および、基板表面に半導体を担持する工程と、該半導体を担持した基板を前記めっき液中に浸漬する工程と、前記半導体表面に該半導体の励起エネルギー以上のエネルギーを持つ光を照射する工程とからなる光利用めっき方法。
Claim (excerpt)：
光を利用して基板に担持した半導体上に、少なくとも銅、ニッケル、コバルトおよび錫の1種以上を含む金属または合金のめっきを行なうめっき液であって、不可逆的に酸化分解して電子を供給する犠牲酸化剤を含む、少なくとも銅、ニッケル、コバルトおよび錫の1種以上を含む金属または合金の無電解めっき液からなることを特徴とする光利用めっき液。
IPC (3)：
C23C 18/14
, H01L 21/288
, H05K 3/18
