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J-GLOBAL ID:200903077748237559
光電変換素子及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002284198
Publication number (International publication number):2004119306
Application date: Sep. 27, 2002
Publication date: Apr. 15, 2004
Summary:
【課題】電解質の漏液と外部からの水の浸入とを同時に抑制することによって、長期安定性を備えた光電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】増感色素を担持した半導体層7が被着された第1の電極5と、第1の電極5の半導体層7と対峙する第2の電極9と、第1の電極5の半導体層7と第2の電極9との間に配置された電解質層13とを備えた光電変換素子1であって、電解質層13は封止材15により第1の電極5の半導体層7と第2の電極9との間に密閉して封止されており、封止材15は溶解度パラメータが9.5以下であるシール剤から形成されており、光電変換素子1の外面がフッ素を含む樹脂17により覆われている光電変換素子とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
増感色素を担持した半導体層が被着された第1の電極と、前記第1の電極の半導体層と対峙する第2の電極と、前記第1の電極の半導体層と前記第2の電極との間に配置された電解質層とを備えた光電変換素子であって、
前記電解質層は、封止材により前記第1の電極の半導体層と前記第2の電極との間に密閉して封止されており、
前記封止材は、溶解度パラメータが9.5以下であるシール剤から形成されており、
前記光電変換素子の外面が、フッ素を含む樹脂により覆われていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
FI (2):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
F-Term (12):
5F051AA14
, 5F051BA15
, 5F051BA18
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032AS19
, 5H032CC16
, 5H032EE05
, 5H032EE07
, 5H032EE16
, 5H032HH00
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