プラズマエッチング法及びプラズマエッチング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：澁谷孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996071011
Publication number (International publication number)：1997246250
Application date： Mar. 01, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】エッチング速度が変動しても被エッチング物を局部的に安定してエッチングできるプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】プラズマ発生領域7を有する石英製の細管2内へエッチングガス供給装置3からエッチングガスを供給し、プラズマ発生領域7へマイクロ波を照射してプラズマ化し、シリコンウェハ10の被エッチング部分10aにプラズマを供給してエッチングを行う。同時にレーザ光干渉型厚さ測定装置8からレーザ光を被エッチング部分10aに照射し、被エッチング部分10aの表面及び裏面から反射したレーザ光の干渉を利用してエッチング中に被エッチング部分10aの厚さを測定する。予め設定した厚さと測定した厚さをデータ処理装置11にて比較し、設定した厚さにエッチングされていると他の被エッチング部分へ細管直下が位置するようにシリコンウェハ10を移動させる。

Claim (excerpt)：

被エッチング物を局部的にエッチングするプラズマエッチング法において、被エッチング部分の厚さを測定しながらエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , G01B 11/06 , H01L 21/66

FI (3)：

H01L 21/302 A , G01B 11/06 G , H01L 21/66 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

エッチング装置および半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-003672 Applicant：株式会社日立製作所
特開平2-062039
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-260927 Applicant：富士通株式会社

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