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J-GLOBAL ID：200903077759084380

X線露光方法及びX線マスク製造方法

Inventor： 時友 一雄 ,  菊地 智子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993118737
Publication number (International publication number)：1994333804
Application date： May. 20, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 X線露光方法及びX線露光用マスク製造方法に関し、レジストパターン側壁の傾斜を防止することを目的とする。【構成】 所定のパターンの透光部3bとこの透光部3bの周囲に接する半透光部3dとを備えたX線マスク3Aを使用し、基板1上のレジスト膜2にX線マスク3Aの透光部3bに等しいパターンの適正露光潜像4とその周囲に接し且つ露光量の少ない微弱露光潜像5とを形成し、その後ベーキングと現像とを行ってレジストパターンを得る。

Claim (excerpt)：

基板(1) 上のレジスト膜(2) をX線マスク(3, 3A) を介して選択的にX線露光する方法であって、該レジスト膜(2) に所定のパターンの適正露光潜像(4) と該適正露光潜像(4)の周囲に接し且つ該適正露光潜像(4) より露光量の少ない微弱露光潜像(5) とを形成することを特徴とするX線露光方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503

FI (2)：

H01L 21/30 331 E ,  H01L 21/30 331 M