電界効果トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994186260
Publication number (International publication number)：1995176763
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】微分負抵抗を有し、かつ集積化が容易なプレーナー型の構造を有する電界効果トランジスタを実現する。【構成】 AlGaAs層2から成るチャネル領域に、このAlGaAs層2により箱状のGaAs層3の周囲が取り囲まれた構造の量子ドットQDが一面内に互いに隣接して配列された量子ドットアレーを設ける。量子ドットQDの大きさおよび間隔は、量子ドットQD間を電子がトンネリングにより伝導することができるように設計する。量子ドットアレーの上のAlGaAs層2上にゲート電極Gを設け、このゲート電極Gに印加する電圧により量子ドットアレーの電子密度を変化させ、ソース-ドレイン間電流を制御する。量子ドットQDは例えばSi/SiO2 接合によって形成してもよい。

Claim (excerpt)：

一面内に互いに隣接して配列された複数の量子箱がチャネル領域に設けられている電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/80 , H01L 29/06 , H01L 29/68 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 A , H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-154384
特開平4-346282
量子閉じ込め半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-307806 Applicant：ゼロックスコーポレイション

Show all

Return to Previous Page