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J-GLOBAL ID：200903077772205463

歪シリコン・オン・インシュレータ(SOI)の形成方法および形成された該構造

Inventor：
リム、ケーン

About リム、ケーン


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション


Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002578555
Publication number (International publication number)：2005510039
Application date： Mar. 21, 2002
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】歪シリコン層(12)が直接、絶縁層(14)の上に位置するSOI構造(10)およびその製造方法を提供する。【解決手段】本方法はシリコン層(12)をシリコンと異なる格子定数を有する歪誘導層(22)の上に形成することを伴い、その結果、歪誘導層(22)と格子の不一致があるためシリコン層(12)が引張られる。できた多層構造(18)は次に絶縁層(14)が歪シリコン層(12)と基板(24)の間に存在するように基板(24)に接合され、その結果歪シリコン層(12)は直接絶縁層(14)に接触する。歪誘導層(22)が次に除去され、絶縁層(14)上に直接位置する歪シリコン層(12)を含む歪SOI構造(10)が形成され、シリコン層(12)内部の歪がSOI構造(10)によって保持される。
Claim (excerpt)：
直接、絶縁層(14)の上に配設した歪シリコン層(12)を含むSOI(silicon-on-insulator)(11)構造。
IPC (5)：
H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/786
FI (6)：
H01L27/12 Z ,  H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/76 D ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 617N
F-Term (42)：
5F032AA06 ,  5F032AA91 ,  5F032CA09 ,  5F032CA11 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA02 ,  5F032DA13 ,  5F032DA21 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F052JA01 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG42 ,  5F110QQ17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6059895号
Cited by examiner (3)

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