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J-GLOBAL ID：200903077784195129

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 荒井 三千男
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 山谷 晧榮 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992225528
Publication number (International publication number)：1994077250
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、大面積の低温用のガラス基板上の非単結晶半導体層上にTFTを形成するのに適したアニール法の改善を目的とする。【構成】 ガラス基板1-1上の非単結晶半導体層1-2上の、TFT形成部1-3に局部的に誘磁率の大きい膜を被覆して交流電流の誘導加熱によってTFT形成部のみをアニールすることによって構成する。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に形成した非単結晶半導体層中に形成する薄膜トランジスタの製造方法において、非単結晶半導体層上の少なくとも、薄膜トランジスタ形成部に高融点金属またはそのシリサイド、カーボン膜を部分的に被覆し、この非単結晶半導体層を有するガラス基板に部分的誘導加熱によって、アニールを行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-257124
  
• 特開昭62-021209