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J-GLOBAL ID：200903077796318420
非晶質太陽電池およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347448
Publication number (International publication number)：1994204515
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 非晶質太陽電池のi層の膜質を改善して素子特性の改善を図ると共に、その製造方法を改善する。【構成】アモルファスシリコン合金材料を主たる原料とし、pin構造を有する非晶質太陽電池において、i層の膜厚方向にバンドギャップの異なる層が積層され、該各i層のバンドギャップが順次漸減し、再度漸増するように積層され、バンドギャップに応じて所定の作製条件になっていることを特徴とする非晶質太陽電池。
Claim (excerpt)：
アモルファスシリコン合金材料を主たる原料とし、pin構造を有する非晶質太陽電池において、i層の膜厚方向にバンドギャップの異なる層が積層され、該各i層のバンドギャップが順次漸減し、再度漸増するように積層されていることを特徴とする非晶質太陽電池。
Patent cited by the Patent：
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