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J-GLOBAL ID：200903077797404169

金属複核錯体およびその製造方法、ならびにこの金属複核錯体を用いた光学素子

Inventor： 岸井 典之 ,  田村 眞一郎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996207278
Publication number (International publication number)：1998045722
Application date： Aug. 06, 1996
Publication date： Feb. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高電子輸送性、高輝度ならびに種々の色度が得られる新規有機電子材料およびその効率的な製造方法、ならびにこれを用いた光学素子を提供する。【解決手段】 2-ヒドロキシフェニルベンズイミダゾールまたは2-ヒドロキシフェニルベンズチアゾールと、第2A族元素または第2B族元素の複核錯体を採用する。アルコール溶媒中での反応により、効率的に合成できる。【効果】 青色発光をはじめとする種々の色度を有し、高輝度の有機EL素子等の作製が可能となる。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されることを特徴とする金属複核錯体。【化1】(ただし、M(II)は周期表第2A族元素および第2B族元素のうちのいずれか1種の金属を、Xはハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基およびチオール基のうちのいずれか1種の対アニオンを、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 およびR8 は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、スルホン酸基、およびこれらの原子または基で置換されたアルキル基、アリール基および複素芳香族のうちのいずれか1種を表す。)

IPC (4)：

C07D235/18 ,  C07D277/66 ,  C09K 11/06 ,  H05B 33/22

FI (4)：

C07D235/18 ,  C07D277/66 ,  C09K 11/06 Z ,  H05B 33/22