Pat

J-GLOBAL ID：200903077798797148

薄膜歪ゲージの形成方法

Inventor： 天野 典保 ,  吉田 貴彦 ,  頼永 宗男 ,  内田 光宣
Applicant, Patent owner： 株式会社日本自動車部品総合研究所
Agent (1)： 伊藤 求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995026091
Publication number (International publication number)：1996201200
Application date： Jan. 20, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ブリッジ回路を構成する各歪ゲージの抵抗温度係数のばらつきを低減し、温度補正等の必要をなくすことを目的とするものである。【構成】 基板1上に薄膜抵抗体3を成膜して、複数の歪ゲージ31〜34を形成するにあたり、上記薄膜抵抗体3の成膜を、上記基板1を回転させた状態で行ない、かつ上記基板1の回転方向と上記歪ゲージ31〜34の長手方向とのなす角度が、各歪ゲージ31〜34で一致するように歪ゲージ31〜34を配置することによって、抵抗温度係数のばらつきを低減する。

Claim (excerpt)：

基板上に薄膜抵抗体を成膜して、複数の歪ゲージを形成する方法において、上記薄膜抵抗体の成膜を、上記基板を回転させた状態で行ない、かつ上記基板の回転方向と上記歪ゲージの長手方向とのなす角度が、各歪ゲージで一致するように該歪ゲージを配置することを特徴とする薄膜歪ゲージの形成方法。

IPC (2)：

G01L 9/04 101 ,  G01B 7/16