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J-GLOBAL ID：200903077812059597

マイクロ波プラズマ処理方法及び装置

Inventor： 福田 琢也 ,  佐藤 淳二 ,  金井 史幸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992281680
Publication number (International publication number)：1994128749
Application date： Oct. 20, 1992
Publication date： May. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 マイクロ波プラズマ処理装置真空容器内面のエッチングによる洗浄の効率向上。【構成】 真空容器5の基板ホルダ2の周囲に、該基板ホルダの周囲を覆う形状の電極13を配置し、プラズマ洗浄の際、プラズマ中のイオンが追随できる周波数の高周波を該電極13に印加しながら行なう。この際、高周波を印加する電極は基板ホルダ部に少なくとも一つは設置し、かつ、この電極表面形状は、該電極面の法線が真空容器内壁面の被洗浄部のほぼ全域にさえぎるものなしに到達する形状とする。印加電極を複数とし、それらに印加する電力等が独立に制御できるようにするとさらにいい結果が得られる。【効果】

Claim (excerpt)：

処理対象の基板が装着される基板ホルダを内装した真空容器と、該真空容器内に基板を処理する反応ガス及び該真空容器を洗浄する気体を導入する気体導入手段と、前記真空容器内の気体をプラズマ化する手段と、前記真空容器に高周波電界を印加する高周波印加機構とを含んでなるマイクロ波プラズマ処理装置において、前記高周波印加機構は真空容器の洗浄に少なくとも使用し、かつ、プラズマ化された前記気体のイオンが追随できる周波数の高周波電界を印加可能なものであることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-287774
  
• 特開昭63-221620
  
• 特開昭61-145825
  
• 特開昭63-244739