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J-GLOBAL ID：200903077824007487

多孔質状シリコンの形成方法およびその多孔質状シリコンを用いた光半導体装置

Inventor： 成井 啓修
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994041957
Publication number (International publication number)：1995230983
Application date： Feb. 15, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、多孔質状シリコンのフォトルミネッセンス強度の向上とその時間経過による減少の低減を図り、その多孔質状シリコンを用いることで光半導体装置の発光性能および光電変換性能の向上を図る。【構成】 電解質溶液12中に、シリコン基体21と電極31とを対向させて配置し、次いでシリコン基体21と電極31とに極性の異なる電流を交互に印加して、当該シリコン基体21の表面を酸化させて多孔質状シリコン層22を形成する。図示はしないが、発光ダイオードまたは太陽電池からなる光半導体装置は、上記多孔質状シリコン層と金属電極とのショットキー接合または多孔質状シリコン層内に形成したpn接合を有する。

Claim (excerpt)：

電解質溶液中に、シリコン基体と電極とを対向させて配置し、前記シリコン基体と当該電極とに極性の異なる電圧を交互に印加して、当該シリコン基体の表面を酸化させて多孔質状シリコン層を形成することを特徴とする多孔質状シリコンの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3063 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/306 L ,  H01L 31/04 A