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J-GLOBAL ID：200903077833021611

太陽光発電装置

Inventor： 堀越 佳治 ,  岩村 英俊 ,  川上 剛司 ,  小澤口 治樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 吉田 精孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996041763
Publication number (International publication number)：1997237907
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】二連形太陽光発電装置において、化合物半導体層を薄膜化し、かつ良好なpn接合を形成する技術を提供する。【解決手段】表面近傍にp+n接合を有するシリコン(Si)結晶ウェハ上に、n+ーテルル化カドミウム(n+ーCdTe)4、n-テルル化カドミウム(n-CdTe)5、p-テルル化カドミウム(p-CdTe)6、p+-テルル化カドミウム(p+-CdTe)7の薄膜を順次堆積させた。

Claim (excerpt)：

半導体pn接合を用いた太陽光発電装置において、表面近傍にp+n接合を有するシリコン(Si)結晶ウェハ上に、n+-ルル化カドミウム(n+-CdTe)、n-テルル化カドミウム(n-CdTe)、p-テルル化カドミウム(p-CdTe)、p+-テルル化カドミウム(p+-CdTe)の薄膜を順次堆積させたことを特徴とする太陽光発電装置。