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J-GLOBAL ID:200903077833076980

ヒドラゾン化合物、錯体形成用ヒドラゾン化合物、金属錯体形成用配位子、及び高分子化合物製造用単量体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 岸本 達人 ,  星野 哲郎 ,  山下 昭彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007225268
Publication number (International publication number):2009057314
Application date: Aug. 31, 2007
Publication date: Mar. 19, 2009
Summary:
【課題】簡便な操作及び工程で製造可能であり、触媒金属の微細分散を可能とする電極触媒原料化合物として有用なヒドラゾン化合物を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表されるヒドラゾン化合物、下記一般式(1)で表され、少なくとも1種の金属種に配位して金属錯体を形成する、金属錯体形成用ヒドラゾン化合物、並びに上記ヒドラゾン化合物によりなる金属錯体形成用配位子、及び高分子化合物製造用単量体。(式中、Pyは2-ピリジル基、3-ピリジル基又は4-ピリジル基を示す。)【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で表されるヒドラゾン化合物。
IPC (2):
C07D 213/77 ,  C08G 8/24
FI (2):
C07D213/77 ,  C08G8/24
F-Term (16):
4C055AA01 ,  4C055BA01 ,  4C055BA02 ,  4C055BA52 ,  4C055BB17 ,  4C055CA01 ,  4C055CA02 ,  4C055CA52 ,  4C055CB17 ,  4C055DA01 ,  4C055DA52 ,  4C055DB17 ,  4J033CA02 ,  4J033CA13 ,  4J033CA14 ,  4J033CA25
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 国際公開公報WO2004/036674号

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