Pat

J-GLOBAL ID：200903077837083204

半導体装置の製造方法

Inventor： 小池 正浩 ,  安田 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998002408
Publication number (International publication number)：1999204512
Application date： Jan. 08, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 膜厚の厚い熱窒化膜等の形成を可能とする。【解決手段】 シリコン領域4を有する下地基板上にアモルファスシリコン層1を形成する工程と、このアモルファスシリコン層1を熱窒化して熱窒化膜2を形成する工程とを有する。熱窒化の代わりに熱酸窒化を行うことにより熱酸窒化膜を形成するようにしてもよい。

Claim (excerpt)：

下地基板上にアモルファスシリコン層を形成する工程と、このアモルファスシリコン層を熱窒化又は熱酸窒化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 21/316 C ,  H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-311957   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭54-161274
  
• 特開昭59-213606
  
• 特開昭63-096927