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J-GLOBAL ID：200903077841345914

単一電子素子及びその製作方法

Inventor： 佐藤 俊彦 ,  嶋田 寿一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994015062
Publication number (International publication number)：1995226522
Application date： Feb. 09, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】従来技術の有していた課題を解決して、動作温度が高く、室温でも動作する集積化単一電子素子を歩留まり良く提供する。【構成】予め金属配線100,110を施し、その後、原子間力顕微鏡(AFM)の探針の先端に個々の金微粒子125を着脱する方法を用いて、上記電極間に金微粒子を配置した。従って、これらの金微粒子は約1nmの間隔で十分近接して並べることができ、これによって、電子の金属微粒子間のトンネルが可能となる。基板250には導電性のシリコン、絶縁体薄膜としては100Å厚のシリコン酸化膜211を用いた。また、金微粒子を固定するために、電気伝導率の低いアモルファスシリコン膜220でこれらの金微粒子を埋め込んである。

Claim (excerpt)：

少なくとも20nm以下の粒径を有する微粒子を1個またはそれ以上用いて微小トンネル接合を形成したことを特徴とする単一電子素子。

IPC (5)：

H01L 29/88 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12

FI (2)：

H01L 29/88 Z ,  H01L 27/04 Z