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J-GLOBAL ID：200903077844669290

受光素子

Inventor： 西村 晋
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117430
Publication number (International publication number)：1993315638
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 入力光信号を減衰させないで雑音を拾いにくい、かつ所定の出力電流を得やすい受光素子を提供する。【構成】 半導体基板上に形成された絶縁層と、その絶縁層の略中央の表面内部に形成された拡散層と、その拡散層の周辺に位置し前記絶縁層の表面内部に形成された高濃度層と、前記拡散層と接触して形成された表面電極を設ける。そしてその表面電極を除いた前記絶縁層上に形成された絶縁膜と、前記高濃度層と対応する位置にある前記絶縁膜上に形成された周囲電極と、前記表面電極を除いた前記絶縁膜上および前記周囲電極上に形成された透明電導膜と、その透明電導膜と前記半導体基板を電気的に接続する接続手段とを設ける。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された絶縁層と、その絶縁層の略中央の表面内部に形成された拡散層と、その拡散層の周辺に位置し前記絶縁層の表面内部に形成された高濃度層と、前記拡散層と接触して形成された表面電極と、その表面電極を除いた前記絶縁層上に形成された絶縁膜と、前記高濃度層と対応する位置にある前記絶縁膜上に形成された周囲電極と、前記表面電極を除いた前記絶縁膜上および前記周囲電極上に形成された透明電導膜と、その透明電導膜と前記半導体基板を電気的に接続する接続手段とを具備した事を特徴とする受光素子。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H04B 10/04 ,  H04B 10/06

FI (2)：

H01L 31/10 H ,  H04B 9/00 Y