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J-GLOBAL ID：200903077845557088

バイアススパッタによる薄膜形成方法

Inventor： 三好 歩 ,  水船 洋一郎
Applicant, Patent owner： 日電アネルバ株式会社
Agent (1)： 鈴木 正次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993168052
Publication number (International publication number)：1995018431
Application date： Jul. 07, 1993
Publication date： Jan. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 段差被覆性を向上すると共に、膜の内部応力を低くできるバイアススパッタによる薄膜形成方法を提供することを目的としている。【構成】 ターゲット3と基板電極4の両方に高周波電力を供給し、基板電極上の基板表面に薄膜を形成するバイアススパッタ法において、薄膜形成初期には、バイアス強度を強くし、基板表面の平坦性が得られる薄膜形成終期には、バイアス強度を弱く制御する。

Claim (excerpt)：

ターゲットと基板電極の両方に高周波電力を供給し、基板電極上の基板表面に薄膜を形成するバイアススパッタ法において、薄膜形成初期には、バイアス強度を強くし、基板表面の平坦性が得られる薄膜形成終期には、バイアス強度を弱く制御することを特徴とするバイアススパッタによる薄膜形成方法。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/40 ,  G11B 5/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公平2-055923
  
• 特開平2-185967
  
• 特開平2-247380