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J-GLOBAL ID：200903077847334183
誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小柴 雅昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998236735
Publication number (International publication number)：1999273985
Application date： Aug. 24, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高い電界強度下でも誘電率変化が小さく、内部導体として卑金属の使用および還元性雰囲気中での焼成が可能で、積層セラミックコンデンサ等のための誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。【解決手段】 ペロブスカイト構造のc軸/a軸比が1.000以上1.003未満、結晶格子中のOH基量が2.0wt%以下のチタン酸バリウム系粉末を焼成して得られた、誘電体セラミック。好ましくは、原料のチタン酸バリウム系粉末は、最大粒子径が0.3μm以下、平均粒子径が0.05〜0.15μm、1つの粉体粒子において、結晶性の低い部分21と高い部分23とからなり、結晶性の低い部分21の直径が粉体粒径の0.5以上で、さらに、焼成において、(焼成後の誘電体セラミックの平均粒径)/(原料のチタン酸バリウム系粉末の平均粒径)の比Rが0.90〜1.2の範囲内にあるように、顕著な粒成長が抑制される。
Claim (excerpt)：
ペロブスカイト構造のc軸/a軸比が1.000以上1.003未満であり、結晶格子中のOH基量が2.0wt%以下のチタン酸バリウム系粉末を焼成して得られた、誘電体セラミック。
IPC (2)：
H01G 4/12 358
, C04B 35/46
H01G 4/12 358
, C04B 35/46 D
