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J-GLOBAL ID：200903077859863173

半導体レーザ装置

Inventor： 福永 秀樹 ,  植木 伸明 ,  中山 秀生
Applicant, Patent owner： 富士ゼロツクス株式会社
Agent (1)： 松永 孝義 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991264184
Publication number (International publication number)：1993110185
Application date： Oct. 14, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 量子井戸の混晶化領域での遷移エネルギーが大きい半導体レーザ装置を提供すること、および、相互拡散領域と非相互拡散領域で充分な波長差を得ることが容易な多波長半導体レーザ装置を提供すること。【構成】 光発光層となる禁制帯幅の狭い井戸層を、前記井戸層より禁制帯幅の広い障壁層で挟んでキャリアを閉じ込めた量子井戸構造の活性層と、前記活性層を光の閉じ込められる光導波層とクラッド層により挟んだ半導体層をもつ半導体レーザ装置において、前記障壁層の禁制帯幅が光導波層の禁制帯幅より広くした半導体レーザ装置、または、前記半導体レーザ装置における各層の面に平行な面方向に複数の活性領域を持ち、前記複数の活性領域が非相互拡散領域および相互拡散領域からなり、前記非相互拡散領域と前記相互拡散領域における発光波長がそれぞれ異なる多波長半導体レーザ装置。

Claim (excerpt)：

光発光層となる禁制帯幅の狭い量子井戸層を、前記量子井戸層より禁制帯幅の広い障壁層で挟んでキャリアを閉じ込めた量子井戸構造の活性層と、前記量子井戸活性層を光の閉じ込められる光導波層とクラッド層により挟んだ半導体層をもつ半導体レーザ装置において、前記障壁層の禁制帯幅を光導波層の禁制帯幅より広くしたことを特徴とする半導体レーザ装置。