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J-GLOBAL ID:200903077866998963

半導体微粒子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人特許事務所サイクス (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001287190
Publication number (International publication number):2003095656
Application date: Sep. 20, 2001
Publication date: Apr. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】 均一な粒径を持つ半導体微粒子の簡便で且つ新規な製造方法を提供する。【解決手段】 II族〜VI族元素の中から選択される少なくとも2種類の元素からなる粒子を、高圧ジェット液流内で微粒子化する工程を含むことを特徴とする半導体微粒子の製造方法である。また、好ましくは、II族〜VI族元素の中から選択される少なくとも1種類の元素を各々含む2種類以上の溶液を容器内に同時にまたは別々に供給する際に、前記2種類以上の溶液のうち少なくとも1種に圧力を供与して、該容器内に高圧ジェット液流を形成し、前記粒子を生成するとともに、前記高圧ジェット液流内で微粒子化する工程を含む半導体微粒子の製造方法である
Claim (excerpt):
II族〜VI族元素の中から選択される少なくとも2種類の元素からなる粒子を、高圧ジェット液流内で微粒子化する工程を含むことを特徴とする半導体微粒子の製造方法。
IPC (2):
C01G 9/08 ,  B82B 3/00
FI (2):
C01G 9/08 ,  B82B 3/00

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