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J-GLOBAL ID：200903077867375773

酸化物超電導薄膜の製造方法

Inventor： 根本 雅昭 ,  吉田 功
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 田中 康博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993130027
Publication number (International publication number)：1994318740
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 温度制御以外の方法で、高配向性・高結晶性(高純度)の酸化物超電導薄膜を得ること、および酸化物超電導薄膜作成用の基板に本来の基板としての機能の他に弾性表面波を発生する機能を有するようにすること。【構成】 STO(SrTiO3 :チタン酸ストロンチウム)などの圧電性材料からなる基板に弾性表面波を与えるための高周波電流を流し、この弾性表面波によりエネルギ-励起された基板上に酸化物超電導薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

超電導材料を気相成膜工程により、所望の基板上に酸化物超電導薄膜を積層形成する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、前記気相成膜工程の際、前記基板に弾性表面波を印加することを特徴とする酸化物超電導薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 39/24 ZAA ,  C04B 41/87 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01B 12/06 ZAA