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J-GLOBAL ID：200903077896411398

ドライエッチング方法

Inventor： 福田 一人 ,  甲斐 隆行
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003138848
Publication number (International publication number)：2004342892
Application date： May. 16, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：

【課題】貴金属膜とチタンまたはチタン化合物の積層構造のドライエッチング方法において、チタンまたはチタン化合物の表面酸化膜を除去する方法を提供するものである。【解決手段】第1層が貴金属、第1層の下の第2層がチタンまたはチタン化合物である積層物をドライエッチングするドライエッチング方法において、パターニングされたマスク下の上記第1層を、塩素原子と酸素原子を含む混合ガスを用いて除去した後、上記第2層の表面に酸化膜を生成する第1工程と、塩素原子が主成分である混合ガスを用いて、上記第2層の表面に生成された酸化膜を除去する第2工程と、塩素原子が主成分である混合ガスを用いて、上記第2層を除去する第3工程とを有することで解決できる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

第1層が貴金属、第1層の下の第2層がチタンまたはチタン化合物である積層物をドライエッチングするドライエッチング方法において、パターニングされたマスク下の上記第1層を、塩素原子と酸素原子を含む混合ガスを用いて除去した後、上記第2層の表面に酸化膜を生成する第1工程と、塩素原子が主成分である混合ガスを用いて、上記第2層の表面に生成された酸化膜を除去する第2工程と、塩素原子が主成分である混合ガスを用いて、上記第2層を除去する第3工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (5)：

H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/105

FI (5)：

H01L21/302 104C ,  H01L21/28 E ,  H01L27/10 444C ,  H01L21/88 D ,  H01L21/88 R

F-Term (51)：

4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104DD71 ,  4M104FF13 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  5F004AA08 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033MM05 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ30 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW05 ,  5F033WW07 ,  5F033WW10 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR03