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J-GLOBAL ID：200903077896789692

アルミニウム系配線の単結晶化方法

Inventor： 菅野 幸保
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993213587
Publication number (International publication number)：1995050299
Application date： Aug. 06, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】広範囲の領域において単結晶化されたアルミニウム層を得ることができる、半導体装置におけるアルミニウム系配線の単結晶化方法を提供する。【構成】アルミニウム系配線の単結晶化方法は、(イ)基体10上に絶縁層14を形成した後、絶縁層14に溝部18を形成する工程と、(ロ)溝部18を含む絶縁層14上にアルミニウム系配線層28,30を形成する工程と、(ハ)基体に所定の温度勾配を形成した状態でアルミニウム系配線層を加熱して、アルミニウム系配線層を構成するアルミニウム層30を単結晶化し、以ってアルミニウム系配線を形成する工程、から成る。

Claim (excerpt)：

(イ)基体上に絶縁層を形成した後、該絶縁層に溝部を形成する工程と、(ロ)該溝部を含む該絶縁層上にアルミニウム系配線層を形成する工程と、(ハ)基体に所定の温度勾配を形成した状態でアルミニウム系配線層を加熱して、アルミニウム系配線層を構成するアルミニウム層を単結晶化し、以ってアルミニウム系配線を形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置におけるアルミニウム系配線の単結晶化方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/26

FI (2)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/26 L