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J-GLOBAL ID：200903077897843119

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 野口 健二 ,  大川 実
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992289016
Publication number (International publication number)：1994139785
Application date： Oct. 27, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 フラッシュメモリにおいて消去が完了したブロックに、余分な消去パルスが印加されないようにする。【構成】 センスアンプ11を通過した後のデータが消去回路21A毎に、次パルス制御回路24を設けたその回路に入力し、その単位毎に消去完または未完を判断し未完であれば次パルスを印加するが、完であれば次パルスが印加されないようにした。

Claim (excerpt)：

メモリアレイを複数に分割したブロックの消去を行う消去回路と、消去ベリファイ時に消去完了と判断したブロックに対応する前記消去回路には次の消去パルスを印加しない次パルス制御回路とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。