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J-GLOBAL ID：200903077902624528
a-Cによる反射防止
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048877
Publication number (International publication number)：1994342744
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 a-C膜の成膜または/およびエッチングを含むパターン形成技術に関し、反射防止膜としてa-C膜を用いてもホトリソグラフィの工程数増大を最小限に抑えることのできるホトリソグラフィ技術を提供することおよび反射防止膜として最適の物理定数を有するa-C膜を成膜する技術を提供することを目的とする。【構成】 基板上の被加工体上に非晶質カーボン膜を形成する工程と、前記非晶質カーボン膜の上にホトレジスト膜を形成する工程と、前記ホトレジスト膜を選択的に露光し、現像してホトレジストパターンを形成する工程と、前記ホトレジストパターンをエッチングマスクとして、前記非晶質カーボン膜と前記被加工体とを連続的にドライエッチングする工程とを含む。スパッタリングによるa-C膜の成膜において、基板温度等を調整することにより、所望の光学定数を得る。
Claim (excerpt)：
基板上の被加工体上に非晶質カーボン膜を形成する工程と、前記非晶質カーボン膜の上にホトレジスト膜を形成する工程と、前記ホトレジスト膜を選択的に露光し、現像してホトレジストパターンを形成する工程と、前記ホトレジストパターンをエッチングマスクとして、前記非晶質カーボン膜と前記被加工体とを連続的にドライエッチングする工程とを含むパターン形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
