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J-GLOBAL ID：200903077916658905

単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法

Inventor： 大谷 昇 ,  尾上 浩三 ,  勝野 正和 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996223986
Publication number (International publication number)：1998067600
Application date： Aug. 26, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 6H型あるいは4H型の単一結晶多形の炭化珪素単結晶インゴット及びウエハを歩留り良く作製する。【解決手段】 炭化珪素単結晶インゴットの成長初期に結晶多形を決定するためのバッファー結晶を成長した後に、本体となる所望の不純物濃度の結晶を成長して炭化珪素単結晶インゴットを作製する。6H型の結晶を作製する場合には、バッファー層として1 ×1017〜8 ×1017atoms/cm3 の窒素原子を添加した結晶の成長を行い、4H型の結晶を作製する場合には、バッファー層として3 ×1018〜6×1020atoms/cm3 の窒素原子を添加し結晶多形を決定し、しかる後に所望不純物濃度の結晶の成長を行う。

Claim (excerpt)：

昇華法による種結晶を用いた炭化珪素単結晶インゴットにおいて、種結晶基板と、該基板上に形成された窒素添加量が1 ×1017〜8 ×1017atoms/cm3 の結晶多形が6H型のバッファー層と、該バッファー層上に形成された、結晶多形が6H型で窒素添加量が、バッファー層の1.5 倍以上でかつ6 ×1020atoms/cm3 以下の成長層を有することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  C30B 33/00

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  C30B 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特表平3-501118
  
• n型炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-293268   Applicant：シャープ株式会社
• SiC単結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-042708   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 4H形炭化珪素単結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-126463   Applicant：新日本製鐵株式会社